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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FLM1213-12F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 19:40

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1213-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1213-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

  • FLM1213-4F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:42

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1213-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1213-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1314-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:35

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1314-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1314-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1213-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:27

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1213-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1213-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1213-8F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:21

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1213-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1213-8F 名稱： High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM5972-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:12

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM5972-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5972-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM6472-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 16:04

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM6472-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM6472-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM6472-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 15:56

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM6472-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM6472-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM6472-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 15:49

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM6472-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM6472-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM6472-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 15:40

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM6472-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM6472-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB