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      Semi Connect

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      雙色調(diào)顯影-------光學(xué)光刻和極紫外光刻

      雙色調(diào)顯影（DTD）最早是由Asano提出的。DTD通過(guò)兩次單獨(dú)的顯影去除最高和最低曝光劑量區(qū)域的光....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-12 10:22 ?221次閱讀
      雙色調(diào)顯影-------光學(xué)光刻和極紫外光刻

      一文詳解多重曝光技術(shù)

      有一些光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù)是非常依賴于圖形特征的。例如，可以通過(guò)合適方向的二極照明來(lái)增強(qiáng)密集線空?qǐng)D形的....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-03 14:28 ?284次閱讀
      一文詳解多重曝光技術(shù)

      OPC模型和其工藝流程的簡(jiǎn)單介紹

      目前，基于模型的 OPC已成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的標(biāo)準(zhǔn)程序。圖4-15 表明現(xiàn)代 OPC模型包含了考慮光....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-28 16:46 ?762次閱讀
      OPC模型和其工藝流程的簡(jiǎn)單介紹

      從基于規(guī)則到基于模型的OPC和反演光刻技術(shù)

      通過(guò)觀察偏移、輔助圖形、襯線和其他掩模校正方法對(duì)光刻成像的影響，可以建立用作掩模版圖校正的規(guī)則。
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-28 09:24 ?263次閱讀
      從基于規(guī)則到基于模型的OPC和反演光刻技術(shù)

      集成電路可靠性介紹

      可靠性的定義是系統(tǒng)或元器件在規(guī)定的條件下和規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，完成規(guī)定的功能的能力 (the abilit....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 12-04 09:08 ?860次閱讀
      集成電路可靠性介紹

      氧化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

      氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 06-24 09:15 ?2225次閱讀
      氧化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

      無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝

      現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來(lái)的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步，器....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 06-18 11:43 ?1271次閱讀
      無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝

      CMOS圖像傳感器的制造步驟

      CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semicondu....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 06-18 11:40 ?2119次閱讀
      CMOS圖像傳感器的制造步驟

      CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)

      本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)，重點(diǎn)將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 06-04 15:01 ?2633次閱讀
      CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)

      載流子遷移率提高技術(shù)詳解

      在高k金屬柵之外，另一種等效擴(kuò)充的方法是增加通過(guò)器件溝道的電子或空穴的遷移率。表2.5列舉了一些提高....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-30 15:19 ?1453次閱讀
      載流子遷移率提高技術(shù)詳解

      自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝詳解

      源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-28 17:30 ?2855次閱讀
      自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝詳解

      源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)概述

      源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-27 12:01 ?1227次閱讀
      源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)概述

      等效柵氧厚度的微縮

      為了有效抑制短溝道效應(yīng)，提高柵控能力，隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低，就需要相對(duì)應(yīng)的提高柵電極電容。提....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-26 10:02 ?1536次閱讀
      等效柵氧厚度的微縮

      互連層RC延遲的降低方法

      隨著集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加，互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來(lái)的 RC耦合寄生效....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-23 10:43 ?1843次閱讀
      互連層RC延遲的降低方法

      溝槽填充技術(shù)介紹

      圖2.2是現(xiàn)代CMOS 器件剖面的示意圖。一般來(lái)說(shuō)，水平方向的尺寸微縮幅度比垂直方向的幅度更大，這將....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-21 17:50 ?1558次閱讀
      溝槽填充技術(shù)介紹

      無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程

      2010年，愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-19 16:08 ?993次閱讀
      無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程

      無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

      當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1433次閱讀
      無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

      高電子遷移率晶體管介紹

      MESFET 熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-15 17:43 ?1162次閱讀
      高電子遷移率晶體管介紹

      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析

      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-14 17:19 ?4176次閱讀
      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析

      CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)

      一對(duì)N溝道和P溝道 MOS 管以推挽形式工作，構(gòu)成互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體器件（Complementa....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 05-12 16:14 ?1388次閱讀
      CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)

      混合式氮化鎵VCSEL的研究

      在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊(duì)優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VC....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-19 14:20 ?1321次閱讀
      混合式氮化鎵VCSEL的研究

      電激發(fā)式藍(lán)紫光垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)

      上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果為近年來(lái)局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實(shí)驗(yàn)室首次在77....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-18 11:25 ?1623次閱讀
      電激發(fā)式藍(lán)紫光垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)

      光激發(fā)藍(lán)紫光VCSEL技術(shù)

      在氮化鎵藍(lán)光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個(gè)室溫下光激發(fā)的氮....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-18 09:56 ?1319次閱讀
      光激發(fā)藍(lán)紫光VCSEL技術(shù)

      藍(lán)紫光VCSEL中的反射鏡應(yīng)用探索

      在氮化鎵發(fā)光二極體的發(fā)展過(guò)程中已受到許多的阻礙，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化鎵鎂的低活化率、....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-14 17:06 ?1235次閱讀
      藍(lán)紫光VCSEL中的反射鏡應(yīng)用探索

      InAs量子點(diǎn)面發(fā)射激光器的概述

      東京大學(xué)荒川泰彥教授（Y. Arakawa）在1982年提出量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的概念，在1994年柏林工業(yè)大....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-13 10:54 ?1313次閱讀
      InAs量子點(diǎn)面發(fā)射激光器的概述

      InGaAs量子井面射型雷射介紹

      由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn)，要制作全磊晶結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)波長(zhǎng)面射型雷射難度較高，因此在1....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-07 11:08 ?1292次閱讀

      InP異質(zhì)接面/量子井面射型雷射

      為了應(yīng)用在光纖通訊上有效提升訊號(hào)傳輸距離，對(duì)于發(fā)光波長(zhǎng)1310nm?與1550nm的面射型雷射需求也....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 02-07 10:20 ?1652次閱讀
      InP異質(zhì)接面/量子井面射型雷射

      制作金屬電極的過(guò)程

      在完成選擇性氧化制程后，通常會(huì)將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續(xù)作為氧化制程保護(hù)層的?SiO2或?SiNx....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-24 10:59 ?1612次閱讀
      制作金屬電極的過(guò)程

      選擇性氧化知識(shí)介紹

      采用氧化局限技術(shù)制作面射型雷射元件最關(guān)鍵的差異在于磊晶成長(zhǎng)時(shí)就必須在活性層附近成長(zhǎng)鋁含量莫耳分率高于....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-23 11:02 ?1279次閱讀
      選擇性氧化知識(shí)介紹

      蝕刻基礎(chǔ)知識(shí)

      制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進(jìn)行蝕刻，以便暴露出側(cè)向蝕刻表面（etc....
      的頭像 Semi Connect 發(fā)表于 01-22 14:23 ?1885次閱讀
      蝕刻基礎(chǔ)知識(shí)